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2024년 6월 19일 (수)

2024년 4월 22일 (월)

  • 최신이전 23:102024년 4월 22일 (월) 23:10Ks.park 토론 기여 6,869 바이트 +6,869 새 문서: 이버스핀은 자석저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 기술의 상업화에서 선구자입니다. 토글 MRAM 및 스핀-이전 토크 MRAM(STT-MRAM)을 포함한 MRAM 기술 포트폴리오는 비휘발성 메모리에서 우수한 성능, 지속성 및 신뢰성을 제공하며, 비상시 중요한 데이터가 전원 손실로부터 어떻게 보호되는지를 변화시키고 있습니다. 이버스핀은 15년 이상의 MRAM 기술과 제조분야에서의 선도...