에버스핀 테크놀로지즈 (Everspin Technologies, Inc., MRAM)

회사 소개

Everspin은 자석저항램덤액세스메모리(MRAM) 기술을 상업화한 선구자입니다. 토글 MRAM과 스핀-트랜스퍼 토크 MRAM(STT-MRAM)을 포함한 MRAM 기술 포트폴리오는 비휘발성 메모리 분야에서 우수한 성능, 지속성 및 신뢰성을 제공하며 미션 크리티컬 데이터가 전원 손실에 대비되는 방식을 변화시킵니다. 산업, 의료, 자동차/교통, 항공우주, 데이터 센터 등의 주요 시장에서 고객에게 상당한 가치를 전달하고 있으며 이산 MRAM 부품의 선두 공급자이자 기술 지적재산권의 성공적인 라이선서입니다. 제품은 고객사에 직접 판매되거나 유수의 유통 채널을 통해 산업을 선도하는 원래 장비 제조업체(OEM) 및 원래 디자인 제조업체(ODM)에 공급됩니다. 이들은 자사의 MRAM 제품을 카멜롯과 제3자 제조업체를 이용하여 제작하며, 수익은 2023년과 2022년에 각각 6380만 달러와 6000만 달러, 총관리부문이 각각 58.4%와 56.6%, 순이익은 각각 910만 달러와 610만 달러를 기록했습니다.

주요 고객

MRAM 제품의 주요 고객은 산업, 의료, 자동차/교통, 항공우주, 데이터 센터 분야에서 활동하고 있는 기업들입니다. 산업 분야에서는 제조 공장, 자동화 시스템 및 로봇, 공정 제어 장비 제조사들이 MRAM을 사용하여 데이터 무결성과 시스템 안정성을 보장합니다. 의료 분야에서는 병원 및 의료 기기 제조사들이 MRAM의 비휘발성 특성을 이용하여 전원 손실 시에도 중요 데이터를 안전하게 보존할 수 있습니다. 자동차 및 교통 분야에서는 자동차 제조사와 자율주행 시스템 개발사들이 MRAM을 통해 차량 내 전자 시스템의 안정성을 강화합니다. 항공우주 분야에서는 항공기 및 위성 시스템 제조사들이 극한 환경에서도 신뢰할 수 있는 데이터 저장 솔루션으로 MRAM을 선택합니다. 데이터 센터에서는 클라우드 서비스 제공자와 대규모 데이터 센터 운영자들이 MRAM의 고속성과 내구성을 활용하여 데이터 처리 효율을 극대화합니다. 이들은 주로 MRAM의 높은 성능, 안정성, 비휘발성 특성으로 인해 이 제품을 선택하며, 전원 손실 시 데이터 보호와 시스템 안정성 유지에 대한 높은 요구가 이러한 선택의 주요 이유입니다.

회사의 비용구조

비용 구분	설명	주요 공급 업체
연구개발비	새로운 제품군(STT-MRAM 등)의 개발 및 향상과 관련된 비용, 주식 기반 보상 증가로 2023년에 1180만 달러 발생	GLOBALFOUNDRIES (MTJ 기술 개발 및 STT-MRAM 공동 개발)
일반 및 관리비	전문 서비스 비용, 주식 기반 보상, 감가 상각비 증가로 2023년에 1430만 달러 발생	다양한 외부 전문 서비스 제공 업체 및 내부 인력 비용
판매 및 마케팅비	마케팅 및 영업팀 인건비, 프로모션 비용, 고객 지원 비용	내부 마케팅 팀, 외부 광고 및 프로모션 파트너
원재료비	반도체, 메모리, 기타 전자 부품 등 주요 전자 부품에 대한 비용. 반도체 공급 부족으로 인한 비용 증가가 주요 요소	다양한 반도체 및 전자 부품 제조업체 (주요 공급자는 언급되지 않음)
임대 비용	제조, 실험실, 사무실 공간에 대한 운영 및 금융 임대 비용. 2023년 말 운영 임대 비용은 연간 141만 달러	다양한 임대 제공 업체
서버 임대 비용	서버 임대와 관련된 금융 임대 비용. 2023년 말 기준 금융 임대 비용은 14.1만 달러	서버 및 데이터 센터 제공 업체

이는 MRAM 회사의 주요 비용 구성 요소를 설명하며, 자연 자원보다는 전자 부품과 인력 비용이 많이 소요된다는 점이 특징입니다.

제품군

Everspin은 주요 수익원으로 토글 MRAM과 스핀-트랜스퍼 토크 MRAM(STT-MRAM)을 판매하고 있습니다. 이 제품들은 비휘발성 메모리로서 데이터의 안정성을 제공하며 다양한 산업 분야에서 사용됩니다. MRAM의 주요 수익원과 해당 제품들에 대해 분석하면 다음과 같습니다.

제품명	설명	수익 기여도
토글 MRAM	전원 손실 시에도 데이터를 보존할 수 있는 비휘발성 메모리, 주로 산업, 항공우주, 의료 분야에서 사용됨	높은 수익 기여도, 고객사 내에서 중요한 역할 수행
STT-MRAM	스핀-트랜스퍼 토크 기술을 사용한 MRAM, 더 높은 저장 용량과 성능 제공, 데이터 센터 및 고성능 애플리케이션에 적합	빠르게 성장하고 있는 영역, 데이터 요구가 높은 분야에서 유리한 위치 선점

Everspin의 MRAM 제품 주요 수익 기여는 다음과 같이 설명될 수 있습니다:

• 토글 MRAM 제품: 토글 MRAM은 전통적인 비휘발성 메모리 기술로, 다양한 산업과 심각한 환경 조건에서 신뢰성이 중요시되는 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. 이 제품들은 데이터의 무결성을 보장하며 높은 신뢰성을 제공합니다.
• STT-MRAM 제품: STT-MRAM은 최신 기술이 적용된 제품으로, 더 높은 데이터 처리 속도와 저장 용량을 제공합니다. 이 제품은 데이터 센터와 고성능 컴퓨팅 환경에서 주로 활용되며, 점점 더 많은 수익을 창출하고 있는 제품군입니다.

경쟁사에 대한 정보는 다음과 같습니다:

회사명	주요 경쟁 제품	설명
Infineon	NVSRAM, FRAM	Infineon은 다양한 비휘발성 메모리 제품을 제공하며, 특히 NVSRAM과 FRAM으로 MRAM 시장에서 경쟁하고 있음
Fujitsu	FRAM	Fujitsu는 주로 FRAM 제품을 통해 비휘발성 메모리 시장에서 강력한 경쟁력을 보유
Samsung	DRAM, NVSRAM	Samsung은 DRAM과 NVSRAM 등 다양한 메모리 제품군을 통해 시장 점유율을 확대하며, MRAM 기술에도 투자를 확대하고 있음
Micron	DRAM, NVSRAM	Micron은 DRAM과 비휘발성 메모리 제품들로 경쟁하며, 최근에는 MRAM 기술 개발에도 주력하고 있음
Integrated Silicon Solution (ISSI)	SRAM, NVSRAM	ISSI는 SRAM 및 NVSRAM 제품을 주력으로 하여 MRAM 제품들과 기술적으로 경쟁

Everspin은 이러한 경쟁사들 사이에서 기술적인 우위를 점하고 있으며, MRAM 기술을 통해 다양한 산업 분야에 걸쳐 중요한 역할을 수행하고 있습니다.

주요 리스크

MRAM 사업에 대한 가능한 위험 요소는 다음과 같습니다. 첫째, 우리의 지적 재산권이 소멸될 수 있는 위험이 있으며, 보안 문제나 해킹으로 인한 정보 유출이 있을 경우 경쟁 정보, 공급업체, 고객, 직원 또는 기타 이해관계자의 개인 데이터가 유출될 수 있습니다. 둘째, 제3자 서비스 제공업체의 정보 보안 관행 모니터링이 제한되거나 불충분할 수 있으며, 이로 인해 보안 사고 및 데이터 손실이 발생할 수 있습니다. 셋째, 새로운 반도체 기술 적용이 제품 생산 및 출시에 어려움을 줄 수 있으며, 산업 표준 및 기술 요구사항의 변경이 우리 사업, 운영 및 전망에 악영향을 줄 수 있습니다. 또한, 해외에서의 판매 활동이 증가할 경우 외환 위험에 노출될 수 있습니다. 이러한 위험들이 우리의 운영을 해칠 수 있으며 수익을 감소시킬 수 있습니다.

재무

손익계산서

(단위: Million USD)

항목	2021	2022	2023
매출액	55.1	60.0	63.8
매출원가	22.1	26.0	26.5
매출총이익	33.1	33.9	37.2
영업비용	28.0	27.7	31.4
영업이익	5.0	6.2	5.9
영업외수익	0.7	0.1	-3.2
세전 순이익	4.3	6.1	9.0
법인세 비용	0.0	0.0	-0.0
당기순이익	4.3	6.1	9.1

대차대조표

(단위: Million USD)

항목	2021	2022	2023
현금 및 현금성 자산	21.4	26.8	36.9
매출채권, 순액	8.1	10.5	11.5
재고자산	6.4	6.7	8.4
유동자산 총계	36.8	44.7	57.9
유형자산, 순액	1.9	10.5	9.2
비유동자산 총계	2.6	10.6	9.4
자산 총계	39.4	55.3	67.3
매입채무	1.8	2.8	2.9
단기차입금	4.1	3.7	1.2
유동부채 총계	10.3	10.9	8.8
장기차입금	1.6	5.6	4.4
비유동부채 총계	1.8	5.8	4.6
부채 총계	12.1	16.7	13.4
자본금 및 추가 납입 자본	180.1	185.4	191.6
이익잉여금	-152.8	-146.7	-137.7
자본 총계	27.2	38.7	53.9
부채 및 자본 총계	39.4	55.3	67.3

현금흐름표

(단위: Million USD)

항목	2021	2022	2023
당기순이익	4.3	6.1	9.1
감가상각비 및 무형자산상각비	1.5	1.0	1.2
비현금 운전자본 변동	-0.0	-1.9	-2.3
영업활동으로 인한 현금흐름	9.4	9.5	13.1
유형자산 취득	-1.0	-2.8	-1.4
투자활동으로 인한 현금흐름	-1.0	-2.6	-1.4
배당금 지급	N/A	N/A	N/A
차입금 변동	-3.4	-2.4	-2.8
재무활동으로 인한 현금흐름	-1.5	-1.5	-1.6
현금 순변동	6.8	5.4	10.2

주가 영향 미치는 요인들

MRAM의 주가 변동에는 다양한 요소들이 영향을 미칠 수 있습니다. 첫 번째로 주요 경쟁사의 상승이나 기술 발전이 중요한 요인이 됩니다. 예를 들어, 새로운 경쟁사가 더 저렴하고 효율적인 메모리 기술을 시장에 출시하면 MRAM의 시장 점유율이 감소할 수 있으며, 이는 부정적인 영향을 미칠 것입니다. 두 번째로 통화 환율 변동도 큰 역할을 할 수 있습니다. MRAM이 주요 재료나 부품을 해외에서 조달하는 경우, 환율 변동으로 인해 원가가 상승하면 이익률이 하락하고 주가에 부정적인 영향을 줄 수 있습니다. 세 번째로, 국제 간 갈등, 예를 들어 미-중 무역 전쟁이 지속된다면, MRAM은 주요 원자재 수급에 차질을 빚을 수 있으며 이는 생산 차질과 함께 부정적인 주가 영향을 가져올 수 있습니다. 네 번째로, 시장 트렌드 변화도 주가에 큰 영향을 미칩니다. 만약 데이터 센터나 자동차 산업에서의 MRAM 기술 수요가 급증한다면, 이는 긍정적인 영향을 미칠 수 있습니다. 다섯 번째로, 거시경제 상황 역시 중요한 변수입니다. 글로벌 경제가 침체기에 들어서면 전반적인 수요 감소로 인한 실적 악화 가능성이 있으며, 이는 부정적인 주가 영향을 미칠 가능성이 높습니다.

회사의 미래 전망

MRAM의 미래 전망은 다양한 요인에 따라 결정될 수 있다. 먼저, 데이터 센터와 인공지능(AI) 분야의 급성장은 MRAM 수요를 크게 증가시킬 수 있다. 이 두 산업에서 빠르고 안정적인 비휘발성 메모리가 필수적이기 때문이다. 또한, 전기차 및 자율주행차 시장의 확대는 자동차 산업에서의 MRAM 사용을 촉진할 수 있다. 두 번째로, 기술 혁신과 생산 비용 절감을 통해 더욱 경쟁력 있는 가격을 제공할 수 있다면 시장 점유율이 증가할 가능성이 있다. 반면, 주요 경쟁사들이 새로운 메모리 기술을 개발하고 시장에 출시할 경우 MRAM에 대한 수요가 감소할 수 있다. 세 번째로, 국제정세와 공급망 안정성도 중요한 변수다. 원자재 공급의 차질이나 국제 무역 분쟁은 사업에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 네 번째로, 지속적인 연구개발(R&amp.D) 투자와 지적재산권 확보는 MRAM의 기술적 경쟁력을 유지하는 데 중요한 역할을 한다. 이러한 측면에서, 충분한 R&amp.D 자금 조달이 가능하다면 긍정적인 미래를 기대할 수 있다. 다섯 번째로, 글로벌 경제 상황 역시 중요한 변수다. 만약 경제 호황이 지속된다면 전반적인 전자기기 수요가 증가하며 MRAM의 매출도 증가할 수 있다. 하지만 경제 침체기가 도래할 경우 전체 전자제품 시장의 수요 감소로 인해 MRAM 매출도 감소할 수 있다.