트랜스폼 (Transphorm, Inc., TGAN): 편집 역사

2024년 6월 17일 (월)

• 최신이전 23:122024년 6월 17일 (월) 23:12‎ Ks.park 토론 기여‎ 20,446 바이트 +20,446‎ TGAN은 고강도 GaN epiwafer 소재의 미국 기반 원천을 만들기 위한 미국 국방부를 위한 3년 계약의 일환으로 $18.5백만 달러를 부여 받아 강한 GaN MOCVD epiwafer 플랫폼, 지적 재산권 및 제조 규모를 인정받아 미국 국방부를 비롯한 고강도 GaN RF epiwafer 시장에 판매 기회를 창출하였습니다. 주력 사업인 GaN 전원 제품을 보완하기 위해 GaN epiwafer 사업 두 번째 수직 성장 도메인을 개발하여 미국 국방부의 연구 및 개발을 위해 GaN epiwafer 제품 판매 수익에 종속되어 있습니다. 또한 GaN epiwafer 사업을 통해 GaN 기술에 대한 강한 핵심 전문지식을 활용하여 RF/microwave/millimeter wave 시장을 위한 GaN epiwafer 제품을 제공하고 있습니다. 또한, 각종 산업 분야의 고강도 GaN 제품을 개발하고, 디자인 파트너와의 지속적인 협력을 통해 제품 라인 확장 및 시장 공략에 주력하고 있습니...